IXYS
Транзистор IXFX26N120P
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 1.2 kV
- Drain current
- 26 A
- Power dissipation
- 960 W
- Корпус
- PLUS247™
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеЦена / шт.По запросу
Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.
Характеристики
| Артикул производителя | IXFX26N120P |
|---|---|
| Производитель | IXYS |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 1.2 kV |
| Drain current | 26 A |
| Power dissipation | 960 W |
| Корпус | PLUS247™ |
| On-state resistance | 0.5 Ω |
| Монтаж | THT — в отверстия |
| Gate charge | 255nC |
| Kind of package | tube |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 26A; 960W; PLUS247™
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.