Антава

IXYS

Транзистор IXFX26N100P

IXFX26N100P
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1kV
Drain current
26A
Power dissipation
780W
Корпус
PLUS247™
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXFX26N100P
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1kV
Drain current26A
Power dissipation780W
КорпусPLUS247™
On-state resistance390mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge197nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 26A; 780W; PLUS247™

Документация

Документ производителя