Антава

IXYS

Транзистор IXFX250N10P

IXFX250N10P
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
250 A
Power dissipation
1.25 kW
Корпус
PLUS247™
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXFX250N10P
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current250 A
Power dissipation1.25 kW
КорпусPLUS247™
On-state resistance6.5 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge205nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 250A; 1250W; PLUS247™

Документация

Документ производителя