IXYS
Транзистор IXFX230N20T
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 200 V
- Drain current
- 230 A
- Рассеиваемая мощность
- 1.67 kW
- Корпус
- PLUS247™
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 103 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%5 355,09 ₽
Сумма · с НДС 22%5 355,09 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 5 355,09 ₽ | |
| от 3 | 5 017,70 ₽ | |
| от 5 | 4 815,27 ₽ | |
| от 10 | 4 528,49 ₽ | |
| от 30 | 4 112,38 ₽ | |
| от 60 | 3 851,84 ₽ | |
| от 120 | 3 595,05 ₽ | |
| от 150 | 3 523,82 ₽ | |
| от 300 | 3 334,51 ₽ | |
| от 450 | 3 304,52 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | IXFX230N20T |
|---|---|
| Производитель | IXYS |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 200 V |
| Drain current | 230 A |
| Рассеиваемая мощность | 1.67 kW |
| Корпус | PLUS247™ |
| On-state resistance | 7.5 mΩ |
| Монтаж | THT — в отверстия |
| Gate charge | 358nC |
| Kind of package | tube |
| Kind of channel | enhancement |
| Features of semiconductor devices | thrench gate power mosfet |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 230A; 1670W; PLUS247™
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.