Антава

IXYS

Транзистор IXFX210N30X3

IXFX210N30X3
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
HiPerFET™, X3-Class
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
300 V
Drain current
210 A
Power dissipation
1.25 kW
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 298 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%6 719,72 ₽

Сумма · с НДС 22%6 719,72 ₽

Проверяем актуальные условия

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 16 719,72 ₽
от 56 037,06 ₽
от 105 579,45 ₽
от 305 093,71 ₽
от 1204 827,40 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIXFX210N30X3
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияHiPerFET™, X3-Class
Polarisationunipolar
Drain-source voltage300 V
Drain current210 A
Power dissipation1.25 kW
КорпусPLUS247™
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance5.5 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge375nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time190ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 210A; 1250W; 190ns

Документация

Документ производителяДокумент производителя