Антава

IXYS

Транзистор IXFX20N120P

IXFX20N120P
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
HiPerFET™, Polar™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1.2kV
Drain current
20A
Power dissipation
780W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXFX20N120P
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyHiPerFET™, Polar™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.2kV
Drain current20A
Power dissipation780W
КорпусPLUS247™
Gate-source voltage±30V
On-state resistance570mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge193nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time300ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.2kV; 20A; 780W; PLUS247™

Документация

Документ производителя