Антава

IXYS

Транзистор IXFX200N10P

IXFX200N10P
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
200 A
Power dissipation
830 W
Корпус
PLUS247™
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXFX200N10P
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current200 A
Power dissipation830 W
КорпусPLUS247™
On-state resistance7.5 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge235nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; 830W; PLUS247™

Документация

Документ производителя