Антава

IXYS

Транзистор IXFX180N25T

IXFX180N25T
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
250 V
Drain current
180 A
Рассеиваемая мощность
1390 W
Корпус
PLUS247™
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXFX180N25T
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage250 V
Drain current180 A
Рассеиваемая мощность1390 W
КорпусPLUS247™
On-state resistance12.9 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge364nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesthrench gate power mosfet
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 180A; 1390W; PLUS247™

Документация

Документ производителя