Антава

IXYS

Транзистор IXFX170N20T

IXFX170N20T
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
200 V
Drain current
170 A
Power dissipation
1.15 kW
Корпус
PLUS247™
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXFX170N20T
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage200 V
Drain current170 A
Power dissipation1.15 kW
КорпусPLUS247™
On-state resistance11 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge265nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesthrench gate power mosfet
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 170A; 1150W; PLUS247™

Документация

Документ производителя