Антава

IXYS

Транзистор IXFX170N20P

IXFX170N20P
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
200 V
Drain current
170 A
Рассеиваемая мощность
1.25 kW
Корпус
PLUS247™
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXFX170N20P
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage200 V
Drain current170 A
Рассеиваемая мощность1.25 kW
КорпусPLUS247™
On-state resistance14 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge185nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 170A; 1250W; PLUS247™

Документация

Документ производителя