Антава

IXYS

Транзистор IXFX160N30T

IXFX160N30T
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
300 V
Drain current
160 A
Power dissipation
1390 W
Корпус
PLUS247™
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXFX160N30T
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage300 V
Drain current160 A
Power dissipation1390 W
КорпусPLUS247™
On-state resistance19 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge376nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesthrench gate power mosfet
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 160A; 1390W; PLUS247™

Документация

Документ производителя