Антава

IXYS

Транзистор IXFX120N65X2

IXFX120N65X2
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
120 A
Power dissipation
1.25 kW
Корпус
PLUS247™
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXFX120N65X2
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current120 A
Power dissipation1.25 kW
КорпусPLUS247™
On-state resistance24 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge240nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesultra junction x-class
Reverse recovery time220ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 120A; 1250W; PLUS247™; 220ns

Документация

Документ производителя