Антава

IXYS

Транзистор IXFX120N30T

IXFX120N30T
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
300 V
Drain current
120 A
Power dissipation
960 W
Корпус
PLUS247™
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXFX120N30T
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage300 V
Drain current120 A
Power dissipation960 W
КорпусPLUS247™
On-state resistance24 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge265nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesthrench gate power mosfet
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 120A; 960W; PLUS247™

Документация

Документ производителя