Антава

IXYS

Транзистор IXFT96N20P

IXFT96N20P
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
200 V
Drain current
96 A
Power dissipation
600 W
Корпус
TO268
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXFT96N20P
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage200 V
Drain current96 A
Power dissipation600 W
КорпусTO268
On-state resistance24 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge145nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 96A; 600W; TO268

Документация

Документ производителя