Антава

IXYS

Транзистор IXFT86N30T

IXFT86N30T
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
300V
Drain current
86A
Power dissipation
860W
Корпус
TO268
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXFT86N30T
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage300V
Drain current86A
Power dissipation860W
КорпусTO268
On-state resistance46mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge143nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesthrench gate power mosfet
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 86A; 860W; TO268

Документация

Документ производителя