IXYS

Транзистор IXFT80N65X2HV-TRL

D3PAK, TO268Изображение корпуса

Type of transistor: N-MOSFET
Технология: HiPerFET™
Drain-source voltage: 650 V
Drain current: 80 A
Pulsed drain current: 80 A
Power dissipation: 890 W

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	IXFT80N65X2HV-TRL
Производитель	IXYS
Type of transistor	N-MOSFET
Технология	HiPerFET™
Drain-source voltage	650 V
Drain current	80 A
Pulsed drain current	80 A
Power dissipation	890 W
Корпус	D3PAK, TO268
Gate-source voltage	30 V
On-state resistance	38 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	0.14µC
Kind of channel	enhancement
Reverse recovery time	200ns

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 650V; 80A; Idm: 80A; 890W; D3PAK,TO268; 200ns

Документация

Документы пока не предоставлены.