Антава

IXYS

Транзистор IXFT70N30Q3

IXFT70N30Q3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
300V
Drain current
70A
Power dissipation
830W
Корпус
TO268
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXFT70N30Q3
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage300V
Drain current70A
Power dissipation830W
КорпусTO268
On-state resistance54mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge98nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 70A; 830W; TO268

Документация

Документ производителя