Антава

IXYS

Транзистор IXFT60N50P3

IXFT60N50P3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
500 V
Drain current
60 A
Power dissipation
1.04 kW
Корпус
TO268
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXFT60N50P3
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage500 V
Drain current60 A
Power dissipation1.04 kW
КорпусTO268
On-state resistance0.11 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge96nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 60A; 1040W; TO268

Документация

Документ производителя