Антава

IXYS

Транзистор IXFT52N50P2

IXFT52N50P2
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
500 V
Drain current
52 A
Power dissipation
960 W
Корпус
TO268
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXFT52N50P2
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage500 V
Drain current52 A
Power dissipation960 W
КорпусTO268
On-state resistance0.12 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge113nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 52A; 960W; TO268

Документация

Документ производителя