Антава

IXYS

Транзистор IXFT50N30Q3

IXFT50N30Q3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
300V
Drain current
50A
Power dissipation
690W
Корпус
TO268
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXFT50N30Q3
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage300V
Drain current50A
Power dissipation690W
КорпусTO268
On-state resistance80mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge65nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 50A; 690W; TO268

Документация

Документ производителя