Антава

IXYS

Транзистор IXFT36N60P

IXFT36N60P
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
36 A
Power dissipation
650 W
Корпус
TO268
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXFT36N60P
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current36 A
Power dissipation650 W
КорпусTO268
On-state resistance0.19 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge102nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 36A; 650W; TO268

Документация

Документ производителя