Антава

IXYS

Транзистор IXFT320N10T2

IXFT320N10T2
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
320 A
Рассеиваемая мощность
1 kW
Корпус
TO268
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXFT320N10T2
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current320 A
Рассеиваемая мощность1 kW
КорпусTO268
On-state resistance3.5 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge430nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesthrench gate power mosfet
Reverse recovery time98ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 320A; 1000W; TO268; 98ns

Документация

Документ производителяДокумент производителя