Антава

IXYS

Транзистор IXFT30N50P

IXFT30N50P
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
500 V
Drain current
30 A
Power dissipation
460 W
Корпус
TO268
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXFT30N50P
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage500 V
Drain current30 A
Power dissipation460 W
КорпусTO268
On-state resistance0.2 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge70nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30A; 460W; TO268

Документация

Документ производителя