Антава

IXYS

Транзистор IXFT26N100XHV

Type of transistor
N-MOSFET
Технология
HiPerFET™
Drain-source voltage
1 kV
Drain current
26 A
Power dissipation
860 W
Корпус
D3PAK, TO268
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXFT26N100XHV
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияHiPerFET™
Drain-source voltage1 kV
Drain current26 A
Power dissipation860 W
КорпусD3PAK, TO268
Gate-source voltage30 V
On-state resistance0.32 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge113nC
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Reverse recovery time220ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 1kV; 26A; 860W; D3PAK,TO268; 220ns

Документация

Документы пока не предоставлены.