Антава

IXYS

Транзистор IXFT24N90P-TRL

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
HiPerFET™
Drain-source voltage
900 V
Drain current
24 A
Power dissipation
660 W
Корпус
D3PAK, TO268
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXFT24N90P-TRL
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияHiPerFET™
Drain-source voltage900 V
Drain current24 A
Power dissipation660 W
КорпусD3PAK, TO268
Gate-source voltage30 V
On-state resistance0.42 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge130nC
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time300ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 900V; 24A; 660W; D3PAK,TO268; 300ns

Документация

Документы пока не предоставлены.