Антава

IXYS

Транзистор IXFT180N20X3HV

IXFT180N20X3HV
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
HiPerFET™, X3-Class
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
200 V
Drain current
180 A
Power dissipation
780 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXFT180N20X3HV
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияHiPerFET™, X3-Class
Polarisationunipolar
Drain-source voltage200 V
Drain current180 A
Power dissipation780 W
КорпусTO268
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance7.5 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge154nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time94ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 180A; 780W; TO268

Документация

Документ производителяДокумент производителя