Антава

IXYS

Транзистор IXFT170N25X3HV

IXFT170N25X3HV
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
250 V
Drain current
170 A
Power dissipation
890 W
Корпус
TO268HV
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXFT170N25X3HV
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage250 V
Drain current170 A
Power dissipation890 W
КорпусTO268HV
On-state resistance7.4 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge0.19µC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesultra junction x-class
Reverse recovery time140ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 170A; 890W; TO268HV; 140ns

Документация

Документ производителя