Антава

IXYS

Транзистор IXFT16N120P-TRL

Type of transistor
N-MOSFET
Технология
HiPerFET™
Drain-source voltage
1.2 kV
Drain current
16 A
Рассеиваемая мощность
660 W
Корпус
D3PAK, TO268
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXFT16N120P-TRL
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияHiPerFET™
Drain-source voltage1.2 kV
Drain current16 A
Рассеиваемая мощность660 W
КорпусD3PAK, TO268
Gate-source voltage30 V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge0.12µC
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time300ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 1.2kV; 16A; 660W; D3PAK,TO268; 300ns

Документация

Документы пока не предоставлены.