Антава

IXYS

Транзистор IXFT16N120P

IXFT16N120P
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1.2kV
Drain current
16A
Power dissipation
660W
Корпус
TO268
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXFT16N120P
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.2kV
Drain current16A
Power dissipation660W
КорпусTO268
On-state resistance0.95Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge0.12µC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 16A; 660W; TO268

Документация

Документ производителя