Антава

IXYS

Транзистор IXFT15N100Q3-TRL

Type of transistor
N-MOSFET
Технология
HiPerFET™
Drain-source voltage
1 kV
Drain current
15 A
Рассеиваемая мощность
690 W
Корпус
D3PAK, TO268
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXFT15N100Q3-TRL
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияHiPerFET™
Drain-source voltage1 kV
Drain current15 A
Рассеиваемая мощность690 W
КорпусD3PAK, TO268
Gate-source voltage30 V
On-state resistance1.1 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge64nC
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time250ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 1kV; 15A; 690W; D3PAK,TO268; 250ns

Документация

Документы пока не предоставлены.