Антава

IXYS

Транзистор IXFT150N30X3HV-TRL

Type of transistor
N-MOSFET
Технология
HiPerFET™
Drain-source voltage
300 V
Drain current
150 A
Рассеиваемая мощность
890 W
Корпус
D3PAK, TO268
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXFT150N30X3HV-TRL
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияHiPerFET™
Drain-source voltage300 V
Drain current150 A
Рассеиваемая мощность890 W
КорпусD3PAK, TO268
Gate-source voltage20 V
On-state resistance8.3 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge177nC
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time167ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 300V; 150A; 890W; D3PAK,TO268; 167ns

Документация

Документы пока не предоставлены.