Антава

IXYS

Транзистор IXFT140N10P-TRL

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
HiPerFET™
Drain-source voltage
100V
Drain current
140A
Power dissipation
600W
Корпус
D3PAK, TO268
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXFT140N10P-TRL
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyHiPerFET™
Drain-source voltage100V
Drain current140A
Power dissipation600W
КорпусD3PAK, TO268
Gate-source voltage20V
On-state resistance11mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge155nC
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time200ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 100V; 140A; 600W; D3PAK,TO268; 200ns

Документация

Документы пока не предоставлены.