Антава

IXYS

Транзистор IXFR80N50Q3

IXFR80N50Q3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
500 V
Drain current
50 A
Power dissipation
570 W
Корпус
ISOPLUS247™
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXFR80N50Q3
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage500 V
Drain current50 A
Power dissipation570 W
КорпусISOPLUS247™
On-state resistance72 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge200nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 50A; 570W; ISOPLUS247™

Документация

Документ производителя