Антава

IXYS

Транзистор IXFR64N50P

IXFR64N50P
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
HiPerFET™, PolarHV™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
500V
Drain current
37A
Power dissipation
300W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXFR64N50P
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyHiPerFET™, PolarHV™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage500V
Drain current37A
Power dissipation300W
КорпусISOPLUS247™
Gate-source voltage±30V
On-state resistance95mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge150nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time200ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 500V; 37A; 300W; 200ns

Документация

Документ производителя