Антава

IXYS

Транзистор IXFR4N100Q

Type of transistor
N-MOSFET
Технология
HiPerFET™
Drain-source voltage
1 kV
Drain current
3.5 A
Power dissipation
80 W
Корпус
TO247-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXFR4N100Q
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияHiPerFET™
Drain-source voltage1 kV
Drain current3.5 A
Power dissipation80 W
КорпусTO247-3
Gate-source voltage20 V
On-state resistance3 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge39nC
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time250ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 1kV; 3.5A; 80W; TO247-3; 250ns

Документация

Документы пока не предоставлены.