Антава

IXYS

Транзистор IXFR32N80P

IXFR32N80P
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
800 V
Drain current
20 A
Power dissipation
300 W
Корпус
ISOPLUS247™
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXFR32N80P
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage800 V
Drain current20 A
Power dissipation300 W
КорпусISOPLUS247™
On-state resistance0.29 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge150nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 20A; 300W; ISOPLUS247™

Документация

Документ производителя