Антава

IXYS

Транзистор IXFR200N10P

IXFR200N10P
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
120 A
Power dissipation
300 W
Корпус
ISOPLUS247™
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXFR200N10P
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current120 A
Power dissipation300 W
КорпусISOPLUS247™
On-state resistance9 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge235nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 300W; ISOPLUS247™

Документация

Документ производителя