IXYS
Транзистор IXFQ90N20X3
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Технология
- HiPerFET™, X3-Class
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 200 V
- Drain current
- 90 A
- Рассеиваемая мощность
- 390 W
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 14 шт.
Цена и наличие обновляются Данные на
Последняя цена / шт. · с НДС 22%2 027,29 ₽
Сумма · с НДС 22%2 027,29 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 2 027,29 ₽ | |
| от 3 | 1 822,88 ₽ | |
| от 10 | 1 610,96 ₽ | |
| от 30 | 1 447,80 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | IXFQ90N20X3 |
|---|---|
| Производитель | IXYS |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Технология | HiPerFET™, X3-Class |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 200 V |
| Drain current | 90 A |
| Рассеиваемая мощность | 390 W |
| Корпус | TO3P |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 12.8 mΩ |
| Монтаж | THT — в отверстия |
| Gate charge | 78nC |
| Kind of package | tube |
| Kind of channel | enhancement |
| Reverse recovery time | 85ns |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 90A; 390W; TO3P
Документация
Документ производителяДокумент производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.