Антава

IXYS

Транзистор IXFQ90N20X3

IXFQ90N20X3
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
HiPerFET™, X3-Class
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
200 V
Drain current
90 A
Рассеиваемая мощность
390 W

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 14 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%2 027,29 ₽

Сумма · с НДС 22%2 027,29 ₽

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 12 027,29 ₽
от 31 822,88 ₽
от 101 610,96 ₽
от 301 447,80 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIXFQ90N20X3
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияHiPerFET™, X3-Class
Polarisationunipolar
Drain-source voltage200 V
Drain current90 A
Рассеиваемая мощность390 W
КорпусTO3P
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance12.8 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge78nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time85ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 90A; 390W; TO3P

Документация

Документ производителяДокумент производителя