Антава

IXYS

Транзистор IXFQ8N85X

IXFQ8N85X
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
HiPerFET™, X-Class
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
850 V
Drain current
8 A
Pulsed drain current
16 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXFQ8N85X
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияHiPerFET™, X-Class
Polarisationunipolar
Drain-source voltage850 V
Drain current8 A
Pulsed drain current16 A
Power dissipation200 W
КорпусTO3P
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.85 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge17nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesultra junction x-class
Reverse recovery time125ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; X-Class; unipolar; 850V; 8A; Idm: 16A; 200W

Документация

Документ производителя