Антава

IXYS

Транзистор IXFQ80N25X3

IXFQ80N25X3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
250 V
Drain current
80 A
Рассеиваемая мощность
390 W
Корпус
TO3P
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXFQ80N25X3
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage250 V
Drain current80 A
Рассеиваемая мощность390 W
КорпусTO3P
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance16 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge82nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 80A; 390W; TO3P

Документация

Документ производителя