Антава

IXYS

Транзистор IXFQ60N60X

IXFQ60N60X
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600V
Drain current
60A
Power dissipation
890W
Корпус
TO3P
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXFQ60N60X
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600V
Drain current60A
Power dissipation890W
КорпусTO3P
On-state resistance55mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge143nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesultra junction x-class
Reverse recovery time200ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 60A; 890W; TO3P; 200ns

Документация

Документ производителя