IXYS
Транзистор IXFQ50N60P3
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 600 V
- Drain current
- 50 A
- Рассеиваемая мощность
- 1.04 kW
- Корпус
- TO3P
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 182 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%2 301,11 ₽
Сумма · с НДС 22%2 301,11 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 2 301,11 ₽ | |
| от 10 | 1 902,88 ₽ | |
| от 30 | 1 442,66 ₽ | |
| от 120 | 1 373,15 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | IXFQ50N60P3 |
|---|---|
| Производитель | IXYS |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 600 V |
| Drain current | 50 A |
| Рассеиваемая мощность | 1.04 kW |
| Корпус | TO3P |
| On-state resistance | 0.16 Ω |
| Монтаж | THT — в отверстия |
| Gate charge | 94nC |
| Kind of package | tube |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO3P
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.