Антава

IXYS

Транзистор IXFQ50N50P3

Type of transistor
N-MOSFET
Технология
HiPerFET™
Drain-source voltage
500 V
Drain current
50 A
Power dissipation
960 W
Корпус
TO3P
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXFQ50N50P3
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияHiPerFET™
Drain-source voltage500 V
Drain current50 A
Power dissipation960 W
КорпусTO3P
Gate-source voltage30 V
On-state resistance0.125 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge85nC
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time250ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 500V; 50A; 960W; TO3P; 250ns

Документация

Документы пока не предоставлены.