Антава

IXYS

Транзистор IXFQ120N25X3

IXFQ120N25X3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
250 V
Drain current
120 A
Power dissipation
480 W
Корпус
TO3P
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXFQ120N25X3
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage250 V
Drain current120 A
Power dissipation480 W
КорпусTO3P
On-state resistance12 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge122nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesultra junction x-class
Reverse recovery time140ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 120A; 480W; TO3P; 140ns

Документация

Документ производителя