Антава

IXYS

Транзистор IXFP7N100P

IXFP7N100P
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
HiPerFET™, Polar™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1kV
Drain current
7A
Power dissipation
300W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXFP7N100P
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyHiPerFET™, Polar™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1kV
Drain current7A
Power dissipation300W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±30V
On-state resistance1.9Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge47nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time300ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 7A; 300W; TO220AB

Документация

Документ производителя