Антава

IXYS

Транзистор IXFP5N100PM

IXFP5N100PM
Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
1kV
Drain current
2.3A
Power dissipation
42W
Корпус
TO220-3
Gate-source voltage
30V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXFP5N100PM
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage1kV
Drain current2.3A
Power dissipation42W
КорпусTO220-3
Gate-source voltage30V
On-state resistance2.8Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge33.4nC
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time200ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 1kV; 2.3A; 42W; TO220-3; 200ns

Документация

Документы пока не предоставлены.