Антава

IXYS

Транзистор IXFP5N100P

IXFP5N100P
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1kV
Drain current
5A
Power dissipation
250W
Корпус
TO220AB

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXFP5N100P
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1kV
Drain current5A
Power dissipation250W
КорпусTO220AB
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge33.4nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 5A; 250W; TO220AB

Документация

Документ производителя