Антава

IXYS

Транзистор IXFP56N30X3

IXFP56N30X3
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
HiPerFET™, X3-Class
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
300 V
Drain current
56 A
Рассеиваемая мощность
320 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 300 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%2 101,99 ₽

Сумма · с НДС 22%2 101,99 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 12 101,99 ₽
от 101 356,25 ₽
от 501 230,39 ₽
от 1001 204,09 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIXFP56N30X3
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияHiPerFET™, X3-Class
Polarisationunipolar
Drain-source voltage300 V
Drain current56 A
Рассеиваемая мощность320 W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance27 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge56nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time115ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 56A; 320W; TO220AB

Документация

Документ производителяДокумент производителя