Антава

IXYS

Транзистор IXFP34N65X2M

IXFP34N65X2M
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
HiPerFET™, X2-Class
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650V
Drain current
34A
Power dissipation
40W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXFP34N65X2M
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyHiPerFET™, X2-Class
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650V
Drain current34A
Power dissipation40W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±30V
On-state resistance0.1Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge56nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time164ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 34A; 40W; TO220AB

Документация

Документ производителя