Антава

IXYS

Транзистор IXFP30N60X

IXFP30N60X
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600V
Drain current
30A
Power dissipation
500W
Корпус
TO220AB
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXFP30N60X
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600V
Drain current30A
Power dissipation500W
КорпусTO220AB
On-state resistance155mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge56nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesultra junction x-class
Reverse recovery time145ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 500W; TO220AB; 145ns

Документация

Документ производителя